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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備
該系列設(shè)備應(yīng)用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，主要用來制作SiO2、Si3N4、
非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積可以較大幅度地降低沉積反應(yīng)的溫度，使CVD在熱穩(wěn)
定性差的基底表面上進(jìn)行沉積成為可能。反應(yīng)溫度的降低還可以有效抑制半
導(dǎo)體器件制作過程中的層間擴(kuò)散。沉積溫度的降低，還可以降低熱應(yīng)力失配。
可根據(jù)用戶要求做不同規(guī)格配置，既可做小批量量產(chǎn)設(shè)備使用，又可用于教 學(xué)及科研。
1：設(shè)備型號：BC-PECVD-350
技術(shù)參數(shù)（以下參數(shù)可根據(jù)用戶需求定制）
設(shè)備名稱：等離子體增強(qiáng)型化學(xué)沉積（PECVD）設(shè)備
真空室結(jié)構(gòu)：立式圓柱形上開門，后置真空抽氣機(jī)組。
真空室尺寸：內(nèi)部尺寸350㎜×300㎜。
真空室加熱：室內(nèi)溫度≤500℃
旋轉(zhuǎn)基片臺：平板式直徑220 ㎜
控制電源：射頻電源
控制方式: PLC全自動和半自動控制模式
占地面積： 長1600㎜×寬1000㎜×高1600㎜
總功率KW： 380V 10KW
