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高真空多靶（直流+射頻+離子源）濺射設(shè)備

適用于開發(fā)納米級單層、多層及復(fù)合膜層等； 

?可制備金屬膜、合金膜、半導(dǎo)體膜、陶瓷膜、介質(zhì)膜等，例：金、銀、銅、鋁、鎳、 鉻、鈦、鋯、鈦鋁合金、鎳鉻合金、氧化鈦、ITO、二氧化硅等；

 ?適用于多靶單獨(dú)濺射、依次濺射、共同濺射，

?可根據(jù)用戶要求做不同規(guī)格配置，用于教學(xué)及科研。

1.    設(shè)備型號：BC-SPT 1-500A

技術(shù)參數(shù)（以下參數(shù)可根據(jù)用戶需求定制）

真空室結(jié)構(gòu)：立式圓柱形前開門，后置真空泵抽氣系統(tǒng)。

真空室尺寸：內(nèi)部尺寸500㎜×430㎜。

真空室材質(zhì)：全部采用不銹鋼材料焊接。

真空室加熱：室內(nèi)溫度≤500℃

旋轉(zhuǎn)基片臺：平板型直徑200㎜

       靶配置:      圓形磁控靶X2只

電源配置：  直流電源,偏壓電源

控制方式:    PLC全自動和半自動控制模式

占地面積：  長2000㎜×寬1750㎜×高2050㎜

總功率KW： 380V   8KW

2.  設(shè)備型號：BC-SPT 2-500A

技術(shù)參數(shù)（以下參數(shù)可根據(jù)用戶需求定制）

真空室結(jié)構(gòu)：立式圓柱形前開門，后置真空泵抽氣系統(tǒng)。

真空室尺寸：內(nèi)部尺寸500㎜×430㎜。

真空室材質(zhì)：全部采用不銹鋼材料焊接。

真空室加熱：室內(nèi)溫度≤500℃

旋轉(zhuǎn)基片臺：平板型直徑200㎜

靶配置:      圓形磁控靶X4只

電源配置：  直流電源,射頻電源，偏壓電源

控制方式:    PLC全自動和半自動控制模式

占地面積：  長2000㎜×寬1750㎜×高2050㎜

總功率KW： 380V 8KW

 3. 設(shè)備型號：BC-SPT 3-500A

 技術(shù)參數(shù)（以下參數(shù)可根據(jù)用戶需求定制）

真空室結(jié)構(gòu)：立式圓柱形前開門，后置真空泵抽氣系統(tǒng)。

真空室尺寸：內(nèi)部尺寸500㎜×430㎜

真空室材質(zhì)：全部采用不銹鋼材料焊接。

真空室加熱：室內(nèi)溫度≤500℃

旋轉(zhuǎn)基片臺：平板型直徑200㎜

    靶配置:      圓形離子源X1只,圓形磁控靶X2只

電源配置：  直流電源,射頻電源,離子源電源，偏壓電源。

控制方式:    PLC全自動和半自動控制模式

占地面積：  長2000㎜×寬1750㎜×高2050㎜

總功率KW： 380V 10KW