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ALD原子層沉積設備
?等離子體輔助ALD技術可以應用于能源、催化、環(huán)境、生物、微電子、5G通訊 等多個領域。具有沉積溫度低、單體種類多、薄膜致密均勻，高保形、薄膜 厚度可以在原子量級控制，薄膜成分可以單原子控制；可以進行薄膜表面改 性、等離子體輔助氣相沉積；可制備多種金屬、氧化物、硫化物、氮化物等超薄薄膜。
?可根據(jù)用戶要求做不同規(guī)格配置，用于教學及科研。
設備型號: BC-ALD-230
技術參數(shù)（以下參數(shù)可根據(jù)用戶需求定制）
真空室結構：后置真空抽氣機組。
真空室內部尺寸：230mm×220mm
真空室材質：全部采用不銹鋼材料焊接。
真空室加熱：室內溫度≤300℃
基片臺：平板型直徑 190㎜
控制方式: PLC全自動和半自動控制模式
占地面積： 長1200mm×寬1200mm×高13000
總功率KW： 380V 40KW
